# Powyżej 26,3% wydajności: co zostało z tyłu? > Techniczne porównanie ogniwa p-TOPCon z tylnym złączem o sprawności 26,34% i konstrukcji n-TOPCon o sprawności 26,66%, obejmujące dwuwarstwowe kontakty SiOx/poli-Si ![Powyżej 26,3% wydajności: co zostało z tyłu?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260724/2026072418751974.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-24 - ** 242 wyświetlenia - ** [Blog](./Blog.html) ## Powyżej 26,3% wydajności: co zostało z tyłu? **Krótka odpowiedź:** Przy wydajności ogniwa powyżej 26,3% przednia strona ogniwa TOPCon jest bliska optymalizacji, a pozostały zapas znajduje się na tyle. To napędza przejście w kierunku pełnopowierzchniowych kontaktów tylnych typu p i lokalnych palców polikrzemowych, które zmieniają sposób, w jaki tył zbiera prąd, oraz ile powierzchni przeznacza się na pasywację w porównaniu z kontaktem. Mierzone struktury obejmują stos tylny z warstwami o grubości około 1 nm, 1,5 nm, 36 nm i 90 nm, kontakt pełnopowierzchniowy oraz etap procesu tylnego w temperaturze około 650 °C, przy czym napięcia obwodu otwartego podano na poziomie 1,961 V dla omawianych urządzeń. Każdy z tych wymiarów równoważy rezystancję kontaktu względem rekombinacji, a optimum przesuwa się w miarę poprawy przedniej strony. Na linii produkcyjnej oznacza to, że recepta tylna staje się zmienną aktywną, a nie stałym elementem procesu. Produkcja modułów PV · autor: Jerry, Ooitech ## Powyżej 26,3% sprawności — co jeszcze można zoptymalizować z tyłu? „Lao Zhang, ogniwo o sprawności 26,66% wykorzystywało pełną strukturę typu p [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) z tyłu. W publikacji o sprawności 26,34% przód zmieniono na zlokalizowane palce n-TOPCon, a tył stał się kontaktem p-TOPCon na całej powierzchni. Czy stos dwuwarstwowy SiOx/poli-Si jest nadal taki sam?” To było pytanie uzupełniające od naszego zespołu procesowego po tym, jak wczoraj zakończyliśmy omawianie ogniwa o sprawności 26,66%. **Podstawowa tylna architektura dwuwarstwowa jest niemal skopiowana z konstrukcji 26,66%, ale strona p-TOPCon wprowadza trzy pokrętła regulacyjne, których ogniwo 26,66% nie dotknęło. Strategia przedniej strony jest również zupełnie inna. Odsuwa się od emitera borowego o wysokiej rezystancji 430 Ω/□ i zmierza w kierunku zlokalizowanych palców n-TOPCon. To dwa bardzo różne podejścia do redukcji rekombinacji.** Praca Gao K. i in. o sprawności 26,34% może być postrzegana jako siostrzane badanie z tylnym złączem względem pracy o sprawności 26,66%. Czytanie obu razem daje jaśniejszy obraz tego, co może być wymagane, aby zbliżyć się do 27% sprawności. > Gao, K. i in. „Bifacial tunnel oxide passivating contacts for silicon and perovskite/silicon tandem solar cells with improved efficiency.” *Nature Energy* (2026). DOI: [10.1038/s41560-026-02007-8](https://doi.org/10.1038/s41560-026-02007-8) ## Trzy liczby stojące za ogniwem o sprawności 26,34% - **Sprawność jednozłączowa: 26,34%** na 335,5 cm², z Voc 743,2 mV, FF 85,0% i Jsc 41,69 mA/cm². - **Sprawność tandemowa: 32,73%**, z wykorzystaniem górnego ogniwa perowskitowego o Eg 1,68 eV. Voc tandemu osiągnął 1,961 V, a 80% początkowej wydajności pozostało po 2000 godzinach śledzenia MPP. - Definicja strukturalna: **przednie zlokalizowane palce n-TOPCon w układzie złącz tylnych, w połączeniu z całopowierzchniowym dwuwarstwowym tylnym kontaktem p-TOPCon**. Jest to zasadniczo odwrócenie lustrzane konwencjonalnego TOPCon, który normalnie wykorzystuje przedni emiter borowy i tylny kontakt n-TOPCon. ## Tylny kontakt dwuwarstwowy: ten sam szkielet, ale trzy różne parametry procesu Tylny kontakt o sprawności 26,66% wykorzystuje **SiOx / lekko domieszkowany n+ poly-Si / SiOx / silnie domieszkowany n+ poly-Si**, z fosforem jako domieszką. Tylny kontakt o sprawności 26,34% wykorzystuje **SiOx / p+ poly-Si o grubości 36 nm / SiOx / p+ poly-Si o grubości 90 nm**, z domieszkowaniem borem. Obie struktury mają tę samą podstawową sekwencję: dolny SiOx, wewnętrzny poly-Si, pośredni SiOx i zewnętrzny poly-Si. Wersja p-TOPCon musi jednak zmierzyć się z długotrwałym problemem. > **p-TOPCon zawsze borykał się z kompromisem między pasywacją a kontaktem.** Bor może generować więcej defektów na granicy Si/SiO₂ niż fosfor, a metalizacja p+ poly-Si jest trudniejsza z powodu ograniczeń transportu dziur i słabszego oddziaływania między konwencjonalną pastą srebrną a p+ poly-Si. | Element porównania | Tylny kontakt 26,66%: całopowierzchniowy n-TOPCon | Tylny kontakt 26,34%: całopowierzchniowy p-TOPCon | | --- | --- | --- | | Polaryzacja domieszki | Fosfor, n+ | Bor, p+ | | Grubość wewnętrznego / zewnętrznego poly-Si | Około 40 / 60 nm | 36 / 90 nm; grubsza warstwa zewnętrzna zapewnia większy margines dla dyfuzji boru i metalizacji | | Pośredni SiOx | Około 1,5 nm, utleniany termicznie w 620°C | Około 1 nm, tworzony przez in-situ utlenianie termiczne w 650°C; cieńszy, ponieważ tunelowanie dziur jest już trudniejsze po stronie p+ | | Wyżarzanie | Szacowany zakres 880–920°C w poprzedniej analizie | Wstępne wyżarzanie w 1050°C przez ponad 30 sekund, osiągając 98% krystaliczności i podnosząc implikowane Voc do 747 mV | | Pasta srebrna | Konwencjonalna pasta, w połączeniu z zewnętrzną warstwą amorficzną w celu ograniczenia penetracji Ag | Pasta modyfikowana tlenkiem metalu alkalicznego z 4% wag. Na₂O/K₂O i gruboziarnistym proszkiem srebra, obniżająca rezystywność kontaktu do 0,55 mΩ·cm² | | Morfologia tylnej strony | Konwencjonalne polerowanie tylnej strony | Planaryzowane polerowanie tylnej strony, ponieważ p-TOPCon jest bardziej wrażliwy na teksturę powierzchni i wymaga niższego J₀ | | Główny cel | Zablokować penetrację Ag przy zachowaniu pasywacji | Zablokować penetrację Ag, stłumić defekty międzyfazowe związane z borem i poprawić metalizację p+ poly-Si | Raportowane dane procesowe obejmują in-situ utlenianie tylnej strony w 650°C, warstwę pośrednią SiOx o grubości około 1 nm, domieszkowanie borem na poziomie 1 × 10²⁰ cm⁻³, 98% krystaliczności po wstępnym wyżarzaniu w 1050°C, implikowane Voc 747 mV oraz rezystywność kontaktu 0,55 mΩ·cm² przy użyciu pasty modyfikowanej metalem alkalicznym z gruboziarnistym proszkiem srebra. Jeden szczegół łatwo przeoczyć. **Zewnętrzna warstwa p+ poly-Si ma grubość 90 nm, o 50% grubsza niż około 60 nm zewnętrzna warstwa stosowana po stronie n-TOPCon.** To nie jest przypadkowy wzrost. Bor ma niższą rozpuszczalność stałą w poly-Si niż fosfor, więc silnie domieszkowana sekcja wymaga większej grubości, aby zmniejszyć rezystywność kontaktu. Jednocześnie etap wstępnego wyżarzania w 1050°C wgłębia bor do wnętrza. Grubsza warstwa zewnętrzna pomaga zapobiec penetracji boru i uszkodzeniu dolnej warstwy SiOx. To jest przeciwieństwo strategii n-TOPCon, gdzie warstwa zewnętrzna może pozostać cieńsza i bardziej amorficzna. ## Strona przednia: strategia 430 Ω/□ zostaje zastąpiona przez lokalizację Pytanie pozostawione przez poprzednie badanie brzmiało, czy strategia wysokorezystancyjnego emitera borowego 430 Ω/□ nadal będzie miała zastosowanie do palcowego kontaktu przedniego n-TOPCon. Odpowiedź ogniwa 26,34% jest jasna: **nie. Konstrukcja przenosi się na inny tor.** Ogniwo 26,66% wykorzystuje konwencjonalny emiter przedni dyfundowany borem o rezystancji powierzchniowej 430 Ω/□. Cienkie palce metalowe o szerokości około 10 μm kompensują słabszą przewodność poprzeczną. Ogniwo 26,34% usuwa konwencjonalny przedni emiter borowy i zastępuje go **wzorowanymi palcami n-TOPCon o szerokości około 210 μm, pozostawiając poly-Si tylko pod obszarami kontaktu metalicznego**. Mechanizm redukcji rekombinacji zmienia się zatem z rozcieńczania koncentracji domieszki poprzez wysoką rezystancję powierzchniową na zmniejszanie obszaru pokrytego przez poly-Si. - **Tekstura jest modyfikowana jako pierwsza.** Ozon i HF są stosowane do zaokrąglenia wierzchołków piramid. Zmniejsza to słabą pasywację i korozję pasty srebrnej wokół ostrych szczytów tekstury. - **Do LPCVD wprowadzane jest gradientowe pole termiczne, czyli GTF.** Pełna szerokość połówkowa pasma Ramana osiąga 8,4 cm⁻¹. Niższa wartość wskazuje na lepszą krystaliczność. Gradientowe pole termiczne poprawia zarówno poprzeczną, jak i pionową jednorodność temperatury oraz podnosi krystaliczność n+ poly-Si. - **Domieszkowanie fosforem osiąga 3,3 × 10²⁰ cm⁻³.** Jest to około jednego rzędu wielkości więcej niż stężenie fosforu stosowane w kontakcie tylnego 26,66%. Przednie palce n+ są projektowane pod kątem przewodności, a nie pasywacji całej powierzchni. Większość pracy pasywacyjnej wykonuje kontakt p-TOPCon na całej powierzchni tylnej. - **Szerokość palca wynosi około 210 μm.** Poly-Si pozostaje pod metalem, podczas gdy nieteksturowany obszar bez kontaktu pozostaje niepokryty. Znacznie zmniejsza to pasożytniczą absorpcję po stronie przedniej w porównaniu z kontaktem poly-Si na całej powierzchni. Podejście 430 Ω/□ należy do ery emitera borowego. W strukturze n-TOPCon z palcami rekombinacja jest kontrolowana poprzez **zlokalizowane pokrycie poly-Si, zaokrągloną teksturę powierzchni i poprawioną krystaliczność dzięki GTF-LPCVD**, a nie poprzez samo zwiększanie rezystancji powierzchniowej. Pomaga to wyjaśnić, w jaki sposób ogniwo 26,34% osiąga Voc 743,2 mV, blisko 744,6 mV raportowanych dla ogniwa 26,66%, jednocześnie uzyskując wyższy Jsc. Zlokalizowany kontakt przedni ogranicza pasożytniczą absorpcję, która pozostałaby w strukturze poly-Si na całej powierzchni przedniej. ## Porównanie obok siebie dwóch siostrzanych konstrukcji 26% ### Tylne dwuwarstwowe kontakty SiOx/poly-Si | Warstwa lub proces | Tylny n-TOPCon 26,66% | Tylny p-TOPCon 26,34% | Główny powód różnicy | | --- | --- | --- | --- | | Dolny SiOx | Około 1,3–1,6 nm, wytwarzany w O₂ w 620°C | Około 1,8 nm, wytwarzany in situ w 650°C | Strona typu p wymaga silniejszej bariery przeciw penetracji boru, mimo że tunelowanie dziur jest trudniejsze | | Wewnętrzny poly-Si | Około 40 nm, lekko domieszkowany fosforem i wysoce krystaliczny | 36 nm, lekko domieszkowany borem | Bor ma niższą rozpuszczalność stałą; cieńsza warstwa wewnętrzna może nadal zapewniać pasywację | | Pośredni SiOx | Około 1,5 nm, utworzona w O₂ w 620°C | Około 1 nm, utworzona in situ | Tunelowanie jest bardziej wymagające po stronie typu p, więc warstwa pośrednia nie może być zbyt gruba | | Zewnętrzny poly-Si | Około 60 nm, silnie domieszkowany fosforem i głównie amorficzny | 90 nm, silnie domieszkowany borem | Metalizacja p+ poly-Si jest trudniejsza, wymaga grubszej warstwy i zmodyfikowanej pasty | | Wyżarzanie | Około 880–920°C | Wstępne wyżarzanie w 1050°C, osiągnięcie 98% krystaliczności | Bor wymaga wyższej temperatury aktywacji, a proces musi również kontrolować defekty interfejsu związane z borem | | Pasta srebrna | Konwencjonalna pasta w połączeniu z amorficzną warstwą zewnętrzną | 4% mas. tlenku metalu alkalicznego plus gruby proszek srebra | Metalizacja p+ poly-Si pozostaje jednym z głównych wąskich gardeł procesu | ### Porównanie strony przedniej | Pozycja | 26,66% strona przednia | 26,34% strona przednia | | --- | --- | --- | | Struktura | Emiter dyfuzyjny borowy na całej powierzchni | Zlokalizowane palce n-TOPCon o szerokości około 210 μm | | Strategia kontroli rekombinacji | Wysoka rezystancja powierzchniowa 430 Ω/□ w celu rozcieńczenia domieszkowania | Zmniejszone pokrycie poly-Si w połączeniu z zaokrągloną teksturą | | Tekstura powierzchni | Konwencjonalna tekstura odwróconych piramid | Zaokrąglone piramidy traktowane ozonem i HF | | Osadzanie poly-Si | Nie dotyczy | GTF-LPCVD z FWHM Ramana 8,4 cm⁻¹ | | Domieszka | Bor | Fosfor przy 3,3 × 10²⁰ cm⁻³ | ## Co mówią oba artykuły o rozwoju kontaktów tylnych powyżej 26% Połączone przesłanie jest dość bezpośrednie. > **Na poziomie 25% nacisk położono na zachowanie warstwy tlenkowej w postaci pinhole. Na poziomie 26% rozwój przesunął się w kierunku struktur dwuwarstwowych SiOx/poli-Si oraz inżynierii metalizacji. Powyżej 26,3% ścieżki zaczynają się rozdzielać: tylne kontakty n-TOPCon dążą do dwustronnej synergii elektrycznej, podczas gdy tylne kontakty p-TOPCon zmierzają w kierunku układu złączowego tylnego z zlokalizowanymi przednimi palcami. Ten ostatni jest już bliski częściowej architekturze BC-TOPCon.** Pośrednia warstwa SiOx stosowana do blokowania penetracji srebra jest wspólną cechą obu dwuwarstwowych konstrukcji tylnego kontaktu. Strona p-TOPCon musi jednak rozwiązać trzy dodatkowe problemy: - Konieczny jest etap wstępnego wyżarzania w temperaturze 1050°C w celu aktywacji boru, zwiększenia krystaliczności i wyeliminowania problemów związanych z borem na granicy międzyfazowej. - Konieczna jest pasta srebrowa modyfikowana tlenkami metali alkalicznych, aby rozwiązać trudny problem metalizacji p+ poli-Si. - Polerowanie i planaryzacja strony tylnej stają się bardziej krytyczne, ponieważ p-TOPCon jest bardziej wrażliwy na teksturę powierzchni i jej wpływ na J₀. Te kwestie nie były kluczowe dla konstrukcji n-TOPCon o sprawności 26,66%. Mówiąc prościej, **dwóch warstw kontaktu p-TOPCon jest trudniejszy do wytworzenia niż jego odpowiednik n-TOPCon, ale może oferować wyższy potencjał Voc po opanowaniu procesu.** Dwóch warstw tylnego kontaktu p-TOPCon w ogniwie o sprawności 26,34% osiągnął implikowane Voc na poziomie 747 mV, nieco wyższe niż szacowany ogólny poziom implikowanego Voc omawiany dla konstrukcji o sprawności 26,66%. ## Parametry linii produkcyjnej, które można zastosować bezpośrednio 1. **Popraw polerowanie i planaryzację strony tylnej.** Linia produkcyjna p-TOPCon nie powinna traktować polerowania strony tylnej jako procesu, który musi być jedynie „wystarczająco dobry”. Planaryzacja ma silniejszy wpływ na J₀ dwuwarstwowego kontaktu p-TOPCon niż na n-TOPCon. 2. **Utwórz pośrednią warstwę SiOx in situ o grubości około 1 nm.** Kopiowanie tlenku termicznego o grubości 1,5 nm stosowanego w strukturze n-TOPCon o sprawności 26,66% może zmniejszyć tunelowanie i pogorszyć FF po stronie typu p. 3. **Wprowadź etap wstępnego wyżarzania w temperaturze 1050°C.** Bez tej obróbki aktywacja boru i 98% krystaliczności są trudne do osiągnięcia, co czyni implikowane Voc na poziomie 747 mV mało prawdopodobnym. 4. **Użyj pasty srebrowej modyfikowanej tlenkami metali alkalicznych.** Zgłoszona formulacja wykorzystuje 4% wag. Na₂O/K₂O i gruby proszek srebra. Rezystywność kontaktu 0,55 mΩ·cm² jest trudnym celem dla strony p-TOPCon. Konwencjonalna pasta może powodować gwałtowny wzrost rezystancji szeregowej na kontakcie p+. 5. **Kontroluj szerokość przedniego palca na poziomie około 210 μm.** Dokładność wzorowania laserowego musi nadążać za węższą geometrią kontaktu. Dalsze zmniejszenie szerokości palca mogłoby ponownie obniżyć absorpcję pasożytniczą, ale uszkodzenie laserowe stosu dwuwarstwowego wymagałoby ponownej oceny. ## Następne pytanie dla BC-TOPCon Struktura o sprawności 26,34%, z przednimi palcami n-TOPCon i pełnopowierzchniowym dwuwarstwowym tylnym kontaktem p-TOPCon, jest w efekcie częściową wersją BC-TOPCon. Następnym logicznym krokiem byłoby również zlokalizowanie tylnego kontaktu p-TOPCon, rozmieszczając tylne palce typu p i palce typu n w układzie naprzemiennym. Utworzyłoby to prawdziwą strukturę BC-TOPCon. Rodzi to nowe pytanie. Czy pośrednia warstwa SiOx w zlokalizowanym tylnym kontakcie p-TOPCon powinna pozostać czystym SiO₂, czy powinna zostać zastąpiona przez **SiOx domieszkowany azotem zgodnie ze ścieżką typu OGO** w celu wzmocnienia pasywacji polowej? Inną opcją byłby **stos AlOx/SiOx**, wykorzystujący efekt polowy tlenku glinu wraz z dwuwarstwowym kontaktem SiOx/poli-Si. Badanie o sprawności 26,34% nie zgłębiało tego zagadnienia, ponieważ jego tylny kontakt p-TOPCon pozostawał pełnopowierzchniowy i nie zależał od zlokalizowanej pasywacji polowej. Jednak gdy tylny kontakt typu p staje się palczasty, połączenie pasywacji polowej AlOx i dwuwarstwowej struktury SiOx/poli-Si może stać się poważną opcją następnego kroku. Istnieje również pytanie procesowe związane z tandemem. Dolne ogniwo użyte w tandemie o sprawności 32,73% ma teksturowaną powierzchnię przednią. Symulacje na Rysunku 1 wskazują, że konfiguracja finger-TOPCon dwustronna może mieć wyższy potencjał tandemowy niż pełnopowierzchniowa dwustronna struktura TOPCon. Ale jak należy kontrolować jednorodność fotoluminescencji na teksturowanej powierzchni przedniej ze zlokalizowanymi palcami n-TOPCon? Nadmierna energia lasera może miejscowo wypalić lub spłaszczyć wierzchołki piramid. Może to zużyć część okna procesowego utworzonego przez obróbkę zaokrąglonych piramid. W trzech badaniach — od ogniwa Das Solar o sprawności 25,4% do ogniw o sprawności 26,66% i 26,34% — logika kontaktu tylnego przeszła przez trzy generacje: **kontrola pinhole w tlenku, dwuwarstwowa ochrona przed penetracją srebra, a na końcu dwuwarstwowy p-TOPCon w połączeniu z metalizacją modyfikowaną metalami alkalicznymi.** ## Opinia Ooitech Okno procesowe jest tu prawdziwym wąskim gardłem. Gdy p-TOPCon przechodzi od pełnopowierzchniowego kontaktu tylnego w kierunku zlokalizowanych palców BC, rezystywność kontaktu, uszkodzenia laserowe, aktywacja boru i pasywacja polowa będą musiały być optymalizowane jako jeden sprzężony system. Cieńsza pośrednia warstwa SiOx może chronić FF, ale pozostawia również mniejszy margines przeciw penetracji srebra i uszkodzeniom interfejsu wywołanym borem. Następnym użytecznym wynikiem będzie taki, który zademonstruje to pełne okno integracji na płytkach o rozmiarze produkcyjnym, a nie tylko szczytową wartość sprawności. ## Dalsza lektura i dane kontekstowe Publiczne materiały referencyjne na ten temat, opublikowane przez organizacje, które utrzymują branżową mapę drogową technologii i dane rynkowe: - [VDMA — Międzynarodowa mapa drogowa technologii fotowoltaicznej (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — Raport fotowoltaiczny](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — globalne wiadomości z branży PV i relacje techniczne](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### Tagi : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Poproś o wycenę Wszystkie przesłane pliki są bezpieczne i poufne. ## Dostarczamy ekspertyzę, której możesz zaufać naszą usługę Sprzęt bezpośrednio z fabryki. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Korzyści kosztowe Dostarczamy wyjątkową wartość, maksymalizując rezultaty przy jednoczesnej optymalizacji budżetów klientów. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Nasz doświadczony zespół Nasi wykwalifikowani specjaliści specjalizują się w innowacyjnych rozwiązaniach i strategiach szytych na miarę. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Ponad 15 lat doświadczenia w branży Głęboka wiedza zapewnia niezawodne, zgodne z trendami i sprawdzone rezultaty dla sukcesu. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Co mówią nasi klienci Mówią o nas Opinie klientów chwalą nasze głębokie zrozumienie ich wyzwań, co prowadzi do innowacyjnych rozwiązań i wysokiego zwrotu z inwestycji. Długoterminowe współprace — niektóre trwające ponad dekadę — świadczą o ich zaufaniu i satysfakcji. Ich historie sukcesu motywują nas do ciągłego przekraczania oczekiwań. [Dowiedz się więcej **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) dziękujemy za profesjonalne wsparcie Ooitech i terminową obsługę posprzedażową. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra z Afryki ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dziękujemy Ooitech za dostarczenie wysoce odpowiedniego sprzętu doświadczalnego do ogniw słonecznych BC. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dziękujemy Ooitech za dostarczenie w pełni zautomatyzowanego sprzętu produkcyjnego — wasza instalacja i obsługa posprzedażowa były doskonałe. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Jeszcze raz bardzo dziękuję za ogromną pomoc w ulepszeniu i naprawie fabryki, a także za nauczenie pracowników obsługi maszyn ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Filipiny ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Człowiek o wielkim sercu. Bardzo dziękuję za wizytę, Panie Wu. Bardzo dziękuję za usługi związane z instalacją sprzętu i szkoleniem moich studentów. Najżyczliwsza osoba i profesjonalista w swojej dziedzinie ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ## Nasze najnowsze produkty ![Maszyna do taśm PV — linia do ciągnienia drutu i cynowania](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051111285937.webp) - [** ooitech](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) - [** 819](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) ### Maszyna do taśm PV — linia do ciągnienia drutu i cynowania Zintegrowana linia do ciągnienia drutu i cynowania taśm fotowoltaicznych: jak okrągła i płaska taśma solarna jest ciągniona, powlekana i nawijana w jednym przejściu, wraz z kontrolami. ![Taśma PV i topnik — taśma do lutowania niskotemperaturowego](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032717287347.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) - [** 21163](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) ### Taśma PV i topnik — taśma do lutowania niskotemperaturowego Taśma PV i topnik do łączenia ogniw słonecznych: taśma do lutowania niskotemperaturowego z wysokiej czystości miedzi powlekanej cyną, obsługująca linie MBB i half-cut. ![Tester ciągłości uziemienia CHT9930A: 5-60A, 600W](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774605285835810.webp) - [** ooitech](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) - [** 645](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) ### Tester ciągłości uziemienia CHT9930A: 5-60A, 600W Tester ciągłości uziemienia CHT9930A zapewnia programowalny prąd wyjściowy DC 5-60A z zakresem pomiarowym 0,01μΩ-600mΩ do pomiaru rezystancji uziemienia modułu słonecznego ![C350-CQC Maszyna do cięcia pasków EVA i TPT: 30-80mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032714363679.webp) - [** Rachael](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) - [** 34728](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) ### C350-CQC Maszyna do cięcia pasków EVA i TPT: 30-80mm C350-CQC maszyna do dziurkowania i cięcia – 30 szt./min, dokładność ±0,2 mm dla materiałów słonecznych EVA, TPT i PPE. Precyzyjna obróbka dla busbar i ![Puszka przyłączeniowa i puszka diodowa do paneli słonecznych — klasa IP67/IP68](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032739568544.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) - [** 15517](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) ### Puszka przyłączeniowa i puszka diodowa do paneli słonecznych — klasa IP67/IP68 Puszka przyłączeniowa i puszka diodowa do paneli słonecznych z diodami bocznikującymi o klasie IP67/IP68: ochrona przed efektem gorącego punktu, złącza MC4 i opcjonalny monitoring prądu modułu. ![Jednowarstwowy dwukomorowy automatyczny laminator BIPV](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63342](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Jednowarstwowy dwukomorowy automatyczny laminator BIPV Ooitech OTCY-2754DD Jednowarstwowy dwukomorowy automatyczny laminator BIPV charakteryzuje się dwoma strefami laminowania 2700x5400mm, górnym i dolnym podwójnym ogrzewaniem